系統型號WYPLSpec系列光致發光光譜測試系統
WYPLSpec I 常溫掃描型
WYPLSpec II 低溫掃描型
WYPLSpec M Mini 攝譜型
本系統可以測試半導體材料或其他發光特性材料在激光激發下產生的熒光光譜。通常情況下采用紫外或進紫外激光激發半導體材料(如GaN、Zno、CdTe 等)產生熒光;或用可見、紅外激光器激發稀土摻雜的玻璃或晶體材料產生的熒光,通過對其熒光光譜的測量,分析材料能帶結果等特征。
技術指標:WYPLSpec系列光致發光光譜測試系統
● 光譜范圍:200-2500nm(可根據實際需要選擇)
● 波長準確度:±0.2nm
● 光譜分辨率:±0.1nm
● 光譜帶寬:0.2-10nm 可調
● 光源波長:224nm、248nm、266nm、325nm、488nm、532nm、946nm、1964nm 等可選
● 可升級做透射、反射光譜測試
2016年1月21日,上海交通大學激光制造實驗室迎十周年慶暨中德激光制造技術交流會在上海交通大學閔行校區舉行。中國*部長萬鋼和德國教研部部長Johanna Wanka女士出席并致辭。**司副司長陳家昌,上海市科委主任壽子琪,上海交通大學校長張杰、常務副校長林忠欽等出席會議。上海交通大學副校長黃震主持活動。