一、GB/T2423 有以下51個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成：
1 GB/T 2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A: 低溫
2 GB/T 2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B: 高溫
3 GB/T 2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
4 GB/T 2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db: 交變濕熱試驗(yàn)方法
5 GB/T 2423.5-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊
6 GB/T 2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則： 碰撞
7 GB/T 2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則: 傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
8 GB/T 2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed: 自由跌落
9 GB/T 2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cb: 設(shè)備用恒定濕熱
10 GB/T 2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則: 振動(dòng)（正弦）
11 GB/T 2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求
12 GB/T 2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性
13 GB/T 2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性
14 GB/T 2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性
15 GB/T 2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度
16 GB/T 2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則:長霉
17 GB/T 2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ka: 鹽霧試驗(yàn)方法
18 GB/T 2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)--試驗(yàn)Kb:鹽霧, 交變（氯化鈉溶液）
19 GB/T 2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
20 GB/T 2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
21 GB/T 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M: 低氣壓試驗(yàn)方法
22 GB/T 2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N: 溫度變化
23 GB/T 2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封
24 GB/T 2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Sa: 模擬地面上的太陽輻射
25 GB/T 2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM: 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
26 GB/T 2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM: 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
27 GB/T 2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AMD:低溫/ 低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法
28 GB/T 2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法
29 GB/T 2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
30 GB/T 2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
31 GB/T 2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
32 GB/T 2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
33 GB/T 2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
34 GB/T 2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AD: 溫度/ 濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
35 GB/T 2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AFc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
36 GB/T 2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
37 GB/T 2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)L: 砂塵試驗(yàn)方法
38 GB/T 2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)R: 水試驗(yàn)方法
39 GB/T 2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ee: 彈跳試驗(yàn)方法
40 GB/T 2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41 GB/T 2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法
42 GB/T 2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
43 GB/T 2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（Ea）、碰撞（Eb） 、振動(dòng)（Fc和Fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（Ca）等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
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