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開(kāi)關(guān)：SUCO、Euchner、Layher、Schmersal、Contrinex、Schneider

工業(yè)閥門(mén)：Parker、Bucher、Moog、IMAV、AVENTICS、Gemue

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儀器儀表：Wika、Jumo、GMC、Phoenix、GOSSEN、Warmbier

電氣元件：Siemens、B&R、Vipa、Puls、Murr

專(zhuān)業(yè)進(jìn)口NU.ER.T PR 4 AS1N_AGNE

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晶振作為電路中的心臟，具有極其重要的作用，在各種電子產(chǎn)品設(shè)備中廣泛應(yīng)用，如果出現(xiàn)不振就會(huì)導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備不能正常工作，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢?又如何去解決呢?下面一起看看：
 

　　1.參數(shù)選型不符

　　例如：某MCU需要匹配6PF的32.768KHz，結(jié)果選用12.5PF的，導(dǎo)致不起振。

　　解決措施：更換符合要求的規(guī)格型號(hào)。必要時(shí)請(qǐng)與MCU原廠確認(rèn)。

　　2.儲(chǔ)存環(huán)境不當(dāng)

　　在高溫或者低溫或者高濕度等條件下長(zhǎng)時(shí)間使用或者保存，會(huì)引起晶振的電性能惡化，可能導(dǎo)致不起振。

　　解決措施：盡可能在常溫常濕的條件下使用、保存，避免晶振或者電路板受潮。

　　3.內(nèi)部水晶片破損

　　運(yùn)輸過(guò)程中損壞、或者使用過(guò)程中跌落、撞擊等因素造成晶振內(nèi)部水晶片損壞，從而導(dǎo)致晶振不起振。

　　解決措施：更換好的晶振。平時(shí)需要注意的是：運(yùn)輸過(guò)程中要用泡沫包厚一些，避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等，一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。

晶振

　　4.晶振內(nèi)部水晶片上附有雜質(zhì)導(dǎo)

　　晶振的制程之一是水晶片鍍電極，即在水晶片上鍍上一次層金或者銀電極，這要求在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵車(chē)間作業(yè)完成。如果空氣中的塵埃顆粒附在電極上，或者有金渣銀渣殘留在電極上，則也會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。

　　解決措施：更換新的晶振。在選擇晶振供應(yīng)商的時(shí)候需要對(duì)廠商的設(shè)備、車(chē)間環(huán)境、工藝及制程能力予以考量，這關(guān)系到產(chǎn)品的品質(zhì)問(wèn)題。

　　5.晶振出現(xiàn)漏氣

　　晶振在制程過(guò)程中要求將內(nèi)部抽真空后充滿(mǎn)氮?dú)猓绻霈F(xiàn)壓封不良，導(dǎo)致晶振氣密性不好出現(xiàn)漏氣;或者晶振在焊接過(guò)程中因?yàn)榧裟_等過(guò)程中產(chǎn)品的機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致晶振出現(xiàn)氣密性不良;均會(huì)導(dǎo)致晶振出現(xiàn)不起振的現(xiàn)象。

　　解決措施：更換好的晶振。在制程和焊接過(guò)程中一定要規(guī)范作業(yè)，避免誤操作導(dǎo)致產(chǎn)品損壞。

　　6.振蕩電路匹配值不符導(dǎo)致

　　影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo)：頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。

　　(1)頻差太大，導(dǎo)致實(shí)際頻率偏移標(biāo)稱(chēng)頻率從而引起晶振不起振。

　　解決措施：選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。

　　(2)負(fù)性阻抗過(guò)大或過(guò)小都會(huì)導(dǎo)致晶振不起振

　　解決措施：負(fù)性阻抗過(guò)大，可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來(lái)降低負(fù)性阻抗;負(fù)性阻抗太小，則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來(lái)增大負(fù)性阻抗。一般而言，負(fù)性阻抗值應(yīng)滿(mǎn)足不少于晶振標(biāo)稱(chēng)最大阻抗3-5倍。

　　(3)激勵(lì)電平過(guò)大或者過(guò)小也將會(huì)導(dǎo)致晶振不起振

　　解決措施：通過(guò)調(diào)整電路中的Rd的大小來(lái)調(diào)節(jié)振蕩電路對(duì)晶振輸出的激勵(lì)電平。一般而言，激勵(lì)電平越小越好，處理功耗低之外，還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。

　　7.焊接時(shí)溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

　　焊接時(shí)溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致晶振內(nèi)部電性能指標(biāo)出現(xiàn)異常而引起晶振不起振。以32.768KHz直插型為例，要求使用178°C熔點(diǎn)的焊錫，晶振內(nèi)部的溫度超過(guò)150°C，會(huì)引起晶振特性的惡化或者不起振。焊接引腳時(shí)，280°C下5秒以?xún)?nèi)或者260°C以下10秒以?xún)?nèi)。不要在引腳的根部直接焊接，這樣也會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化或者不起振。

　　解決措施：焊接制程過(guò)程中一定要規(guī)范操作，對(duì)焊接時(shí)間和溫度的設(shè)定要符合晶振的要求。

　　8.電磁兼容性(EMC)問(wèn)題

　　解決措施：一般而言，金屬封裝的制品在抗電磁干擾上優(yōu)于陶瓷封裝制品，如果電路上電磁兼容性(EMC)較大，則盡量選用金屬封裝制品。另外晶振下面不要走信號(hào)線(xiàn)，避免帶來(lái)干擾。