使用常規的光刻技術，在標準半導體周期中以GaAs高遷移率異質結構制造探測器。成像傳感器在單個晶片上制造。該過程確保了等離子體檢測器參數的高度均勻性和可重復性（像素到像素的偏差響應度在20％的范圍內）。每個檢測器單元的室溫響應率高達50 kV / W，具有讀出電路，在10 GHz到1 THz的頻率范圍內的等效噪聲功率為1 nW /√Hz。該檢測機制基于激發二維電子系統中等離子體振蕩并隨后進行整流的機制。整流發生在電子系統中產生的特殊缺陷上。
太赫茲相機是主動檢測設備，需要外部THz源。提供基于IMPATT技術的太赫茲波源。所有的TERA系列太赫茲成像相機都使用具有相同功能和空間分辨率的相同類型的探測器。各型號之間的差異在于其傳感器陣列中的像素數量及其有效成像區域。除了標準THz相機機型號外，還提供定制的解決方案，以滿足各種配置和幾何形狀要求。
參數： 
256像素（16 x 16陣列）
1.5毫米像素間距
NEP = 1 nW /√Hz
11.5厘米x 11.5厘米x 4.2厘米設備尺寸