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01

IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產(chǎn)生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時間小于5ms，在測試過程中能夠減少待測物加電時間的發(fā)熱。

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02

高壓下漏電流的測試能力，測試覆蓋率優(yōu)于國際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規(guī)級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH    Spec.No.IGBT-SP-05015R3規(guī)格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測試幾乎可以W美應對所有類型器件的漏電流測試需求。

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03

此外，VCE(sat)測試是表征IGBT導通功耗的主要參數(shù)，對開關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時才能減小器件發(fā)熱，同時設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。

IGBT靜態(tài)測試系統(tǒng)大電流模塊：50us—500us的可調(diào)電流脈寬，上升邊沿在      15us(典型值)，減少待測物在測試過程中的發(fā)熱，使測試結(jié)果更加準確。下圖為1000A波形：

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04

快速靈活的客制化夾具解決方案：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC      MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測試。