功能特點：
化學氣相沉積CVD系統由高溫管式爐，真空壓強控制系統，多通道高精度數字質量流量控制系統，過壓保護及冷凝等部分組成，可實現真空達0.1mbar混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。
產品用途：
化學氣相沉積CVD系統適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用
產品參數

• 機器電源：AC220V，50/60Hz；
• 額定功率4kw
• 爐管：高純石英管，高溫下化學穩定性強，耐腐蝕，熱膨脹系數極小，能承受驟冷驟熱的溫度變化；
• 爐管尺寸：Φ80*/1000mm
• 加熱元件：0Cr27Al7Mo2
• 加熱區長度：300mm
• 恒溫區長度：150mm
• 工作溫度：≤1150℃
• 升溫速率：≤10℃/min
• 溫控系統：溫度控制采用人工智能調節技術，具有PID調節、自整定功能、30段升降溫程序
• 測溫元件：N型熱電偶
• 恒溫精度：±1℃
• 保護及提醒：超溫、斷偶故障警報及斷電保護、高精度質量流量計通過數據接口連接電腦，配置軟件實時人機交互界面
• 混氣系統：四通道質量流量控制，可同時通入四種不同氣體、內置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥、每路氣體進氣管路配有不銹鋼針閥
• 流量規格：0~30SLM
• 控制精度：±1.0％F.S
• 真空系統：采用德國vacuubrand MV2NT VARIO四級隔膜泵，無極調速，實現負壓的精準控制、極限真空度可達0.1mbar、配置氣體尾氣處理系統
• 冷凝系統：采用低溫恒溫槽，低溫度可達-20℃、內置不銹鋼真空冷凝灌，采用KF接頭，清理收集方便、槽內冷液可外引,冷卻機外實驗容器,也可在槽內直接進行低溫、恒溫實驗