MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀
ST-AC1202_X

用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT的開關時間參數(shù)測試

1200V/200A的輸出能力，覆蓋幾乎所有的半導體分立式單管器件

開通延遲 td(on) 0.1ns~10us    關斷延遲 td(off) 0.1ns~10us

上升時間 tr 0.1ns~10us           下降時間 tf 0.1ns~10us

  開通時間 ton 0.1ns~10us        關斷時間 toff 0.1ns~10us

 開通損耗 Eon 1uJ~1000mJ     關斷損耗 Eoff 1uJ~1000mJ

拖尾電流 0.1A~30A

?產(chǎn)品簡述
    MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀是主要針對 半導體功率器件的動態(tài)參數(shù)測試 而開發(fā)設計。通過DUT適配器的轉換，可測試各類封裝外觀的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模塊、DBC襯板以及晶圓。產(chǎn)品功能模塊化設計，根據(jù)用戶需求匹配功能單元。測試功能單元有DPT（雙脈沖測試 Double Pulse Testing，以下簡稱DPT。包含開通特性、關斷特性、反向恢復特性）柵電荷、短路、雪崩、結電容、柵電阻、反偏安全工作區(qū)等。測試方案*符合IEC60747-9標準。

產(chǎn)品功能及輸出功率進行了模塊化設計，滿足用戶潛在的后期需求，*高測試電壓電流可擴展至10KV/10KA，變溫測試支持常溫到200℃，支持生產(chǎn)線批量化全自動測試。

MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀
?產(chǎn)品特點

? MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)電壓以1500V為一個模塊，電流以2000A為一個模塊，可擴展至10KA/10KV

? 內置7顆標準電感負載可選用, 另有外接負載接口,可實現(xiàn)不同電感和電阻負載測試需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)

? 另有程控式電感箱可供選擇

? 針對不同結構的封裝外觀，通過更換 DUT適配器即可

? 可進行室溫到200℃的變溫測試,也可實現(xiàn)子單元測試功能

? 測試軟件具有實驗模式和生產(chǎn)模式，測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件

? 門極電阻可任意調整, 系統(tǒng)內部寄生電感為*小至50nH

? 系統(tǒng)測試性能穩(wěn)定,適合大規(guī)模生產(chǎn)測試應用（24hr 工作）

? 安全穩(wěn)定（PLC 對設備的工作狀態(tài)進行全程實時監(jiān)控并與硬件進行互鎖）

? 系統(tǒng)具有安全工作保護功能，以防止模塊高壓大電流損壞時對使用者造成傷害，設計符合CE認證

? 支持半自動和全自動測試

? 采用品牌工控機，具有抗電磁*力強，排風量大等特點

? 自動化：單機測試時只需手動放置DUT，也可連接機械選件實現(xiàn)自動化測試線

? 智能化，通過主控計算機進行操控及數(shù)據(jù)編輯，測試結果自動保存及上傳局域網(wǎng)

? 安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護等多重保護措施，確保操作人員、設備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

?參數(shù)指標

MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀廠家直供。


產(chǎn)品系列

晶體管圖示儀

半導體分立器件測試篩選系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態(tài)參數(shù)（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱  特  性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）

可測試 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs /  DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件