雪崩能量測試儀 itc55100替代產品
Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量測試儀
單脈沖雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ（VDS電壓＞600V條件下）
單脈沖雪崩電流 IAS 1A~500A（VDS 電壓＞600V 條件下）
單脈沖雪崩功率 PAS 1W~600KW（VDS 電壓＞600V條件下）
產品系列
晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統
靜態參數測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態參數測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
歡迎垂詢：Tel:173 -4295 -2894
ST-DP_U（1200V200A）
雪崩能量測試儀 itc55100替代產品
Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT
單脈沖雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ（VDS電壓＞600V條件下）
單脈沖雪崩電流 IAS 1A~500A（VDS 電壓＞600V 條件下）
單脈沖雪崩功率 PAS 1W~600KW（VDS 電壓＞600V條件下）
雙脈沖雪崩**....................................................................................
?雪崩能量測試儀 itc55100替代產品產品簡述
ST-DPX 系列產品是主要針對 半導體功率器件的動態參數測試 而開發設計。通過DUT適配器的轉換，可測試各類封裝外觀的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模塊、DBC襯板以及晶圓。產品功能模塊化設計，根據用戶需求匹配功能單元。測試功能單元有DPT（雙脈沖測試 Double Pulse Testing，以下簡稱DPT。包含開通特性、關斷特性、反向恢復特性）柵電荷、短路、雪崩、結電容、柵電阻、反偏安全工作區等。測試方案*符合IEC60747-9標準。
產品功能及輸出功率進行了模塊化設計，滿足用戶潛在的后期需求，*高測試電壓電流可擴展至10KV/10KA，變溫測試支持常溫到200℃，支持生產線批量化全自動測試。
?產品特點
? 測試系統電壓以1500V為一個模塊，電流以2000A為一個模塊，可擴展至10KA/10KV
? 內置7顆標準電感負載可選用, 另有外接負載接口,可實現不同電感和電阻負載測試需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
? 另有程控式電感箱可供選擇
? 針對不同結構的封裝外觀，通過更換 DUT適配器即可
? 可進行室溫到200℃的變溫測試,也可實現子單元測試功能
? 測試軟件具有實驗模式和生產模式，測試數據可存儲為Excel文件
? 門極電阻可任意調整, 系統內部寄生電感為*小至50nH
? 系統測試性能穩定,適合大規模生產測試應用（24hr 工作）
? 安全穩定（PLC 對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖）
? 系統具有安全工作保護功能，以防止模塊高壓大電流損壞時對使用者造成傷害，設計符合CE認證
? 支持半自動和全自動測試
? 采用品牌工控機，具有抗電磁*力強，排風量大等特點
? 自動化：單機測試時只需手動放置DUT，也可連接機械選件實現自動化測試線
? 智能化，通過主控計算機進行操控及數據編輯，測試結果自動保存及上傳局域網
? 安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護等多重保護措施，確保操作人員、設備、數據及樣品安全。
?參數指標
歡迎垂詢：Tel:173 -4295 -2894
