● 適用 2 - 8 inch 晶圓，156mm × 156mm 太陽能硅片
● 可適用于多孔，通孔，高深寬比樣品（可達 1 : 2500）
● 工藝溫度：50 - 500℃
● Advance 型號配有等離子處理系統，工藝溫度 450℃（可選配特定chuck盤至 650℃）
● 適用鍍膜種類：Al2O3，TiO2，SiO2，Ta2O5，HfO2，ZnO，ZrO2，AlN，TiN，Pt，Ir 等
● 手動上料，可選配機械臂，搬運機器人或 Cassette-to-Cassette 上料
● 前驅體種類：液體、固體、氣體、臭氧源、等離子體等
| 產品名稱 | 參考價 | 地區 | 公司名稱 | 更新時間 | |
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| R-200 Standard 原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價 |
| P-300B 原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價 |
| 等離子體增強原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-10 | 在線詢價 |
| 芬蘭Picosun原子層沉積系統 | 面議 | 廣州市 | 廣州納儀科技有限公司 | 2024-05-12 | 在線詢價 |
| 等離子體增強原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-01-19 | 在線詢價 |
| P-300B 原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-01-17 | 在線詢價 |
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