主要特點及參數
● 高分辨率：可實現高質量圖像制作，提高半導體器件的性能
● 靈活性：適用于各種不同類型的器件，如MEMS、晶體管和圖像傳感器等
● 高效率：采用的光學和機械技術，可在短時間內完成大量生產任務
● 高精度：采用高精度光學系統和控制技術，保證圖像的精確性和一致性
● 穩定性：通過對光路的精細調整和控制，保證生產的穩定性
● 安全性：通過安全保護系統，保證生產過程的安全
● 分辨率：每英寸可達到 130 nm
● 工作面積：610 mm × 610 mm
● 光源：KrF 激光
● 光路系統：F-Theta 鏡片
● 系統控制：通過軟件控制，提供方便快捷的生產操作
EVG 610 光刻機的工作過程如下：
1. 進料：將待制作的半導體器件通過輸送系統送入光刻機
2. 光學對準：通過光學對準系統將待制作的器件與光學系統對齊
3. 曝光：使用 KrF 激光對器件進行曝光，形成圖像
4. 開發：使用開發液對曝光后的圖像進行處理，形成最終圖形
5. 刻蝕：將圖形轉移到器件表面，形成最終的半導體元件
6. 出料：將制作完成的半導體元件通過輸送系統送出光刻機
● 分辨率：每英寸可達到 130 nm
● 工作面積：610 mm × 610 mm
● 光源：KrF 激光
● 光路系統：F-Theta 鏡片
● 系統控制：通過軟件控制，提供方便快捷的生產操作
