【儀表網 儀表新品】近日，科學服務領域的世界賽默飛世爾科技亮相四川成都第24屆集成電路物理與失效分析研討會 (IPFA 2017)，并發布三款用于半導體失效分析工作流程的全新產品。旨在幫助半導體故障分析實驗室提升處理樣品和獲取數據的效率，為尋求快速、高質量的電性和物理失效分析的半導體制造商提供創新解決方案。
新型 Helios G4 等離子聚焦離子束 (FIB) 系統可對各類半導體器件進行逆向剝層處理，并提供超高分辨率掃描電子顯微鏡 (SEM) 分析。新型 flexProber 納米探針量測系統可用于快速電性失效分析的應用。它能對半導體晶片在互連導線和晶體管級別上的故障位置，做出準確的定位。新型 Themis S 透射電子顯微鏡 (TEM)用在具挑戰性的半導體器件上，可提供原子級分辨率的成像和高產率的元素分析。
“作為科學服務領域的世界，賽默飛始終立于世界科學發展的前沿，以強大的技術創新領導力，為用戶提供先進科學服務產品。”賽默飛中國區總裁江志成(Gianluca Pettiti)先生表示：“目前中國的半導體市場充滿機遇與挑戰，提升產品性能與效率是產業的發展重點。賽默飛始終聚焦中國的科研需求、與本地客戶密切協作，致力于幫助客戶提高實驗室效率，踐行我們的本地化承諾。”
“半導體市場不斷地快速發展，內存、代工、物聯網 (IoT)、先進封裝和顯示屏市場領域都呈現出強勁的增長”，賽默飛材料與結構分析部亞洲區副總裁荊亦仁闡述道：“這一發展帶動了人們對快速、高質量電性和物理失效分析需求的提升。這些新的產品將為我們現有的失效分析解決方案增添新的功能，并提高了機動性”。
Helios G4 等離子聚焦離子束系統是賽默飛新一代的雙束顯微鏡。它具有從快速剝層、掃描電子顯微鏡截面成像到透射電子顯微鏡樣品制備在內的多種功能。半導體剝層技術在 14 nm 以下技術節點器件上的缺陷定位應用變得越來越重要。等離子聚焦離子束搭配Dx 化學氣體可用于均勻展露金屬層，使賽默飛的納米探針測量系統能夠進行電性故障的定位與分析。
賽默飛新型 Helios G4 等離子聚焦離子束 (FIB) 系統
Helios G4 等離子聚焦離子束系統可支持 7 nm 技術節點以下器件的逆向剝層處理并提供自動終點檢測，以在指定的金屬層或通過層顯露時自動停止蝕刻。它提供比傳統 (Ga+) 聚焦離子束系統快 10 到 20 倍的蝕刻速率，使客戶能夠為納米探針測量系統、透射電子顯微鏡以及掃描電子顯微鏡制備更大面積的樣品，并可廣泛地應用于先進 (2.5D) 封裝、發光二極管 (LED)、顯示屏以及微電子機械系統 (MEMS) 。
新型 flexProber 系統旨在幫助客戶對電性失效做出快速定位，并利用低電壓掃描電子顯微鏡來引導精密機械探針到故障電路元件上。準確定位有助于提高后續分析的效率和成本的效益，確保由此定位而制取的透射電鏡樣品包含了故障區域。專為探針設計的flexProber 系統的掃描電鏡，與其前代產品 nProber II 相比分辨率提升了 2 倍。它融入了賽默飛納米探針量測系統的許多功能，適用于廣泛的半導體器件類型和不同的制程技術。它提供了入門級配置，同時保留了未來升級到完整納米探針測量系統的可能性。
賽默飛新型 flexProber 納米探針量測系統
Themis S 系統是賽默飛行業標準 Themis 系列透射電鏡的新成員。以為20 nm 技術節點以下的半導體器件失效分析為目的，Themis S 系統旨在提供大規模的半導體圖像和分析數據，同時Themis S還包括了集成的隔振護罩和完整的遠程操作功能。球差矯正器、80-200kV 鏡筒、自動對中、XFEG 電子槍和 DualX X 射線能譜儀提供了強大的亞埃級成像能力和快速、準確的元素和應力分析功能。
賽默飛新型 Themis S 透射電子顯微鏡 (TEM)
“我們客戶的半導體器件多種多樣，從先進的 7 到20 nm節點的內存和邏輯器件，到在智能手機和物聯網等產品中仍占據重要地位的成熟技術的器件”，荊亦仁表示：“我們的失效分析工具系列可滿足不同半導體客戶的各種需求。我們期待在中國 IPFA 會議上，與我們的客戶面對面探討我們將如何滿足半導體領域不斷增長的需求。”
(原文標題：賽默飛發布三款用于半導體領域新品 提升實驗室分析效率)
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