【儀表網 儀表人物】導讀：中國集成電路事業的大旗都是誰在扛？這位學界女杰的名字一定少不了。她是清華大學第一批半導體專業高材生，目前仍在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，為國內半導體產業的發展建言獻策。
集成電路是我國科技發展的重要組成部分，也是我國各行各業實現智能化、數字化的基礎。目前我國集成電路滲透到我國各個行業，例如工業機器人、5G網絡建設、汽車電子以及計算機等重要科技領域，可以說集成電路是我國科技發展的基石，集成電路技術發展到位，我國才能夠在科技領域不受制于人。
要問，中國集成電路事業的大旗都是誰在扛？這位學界女杰的名字一定少不了。她是清華大學第一批半導體專業高材生，目前仍在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，為國內半導體產業的發展建言獻策。她就是中國科學院院士、中國早期微電子學研究的開拓者吳德馨。
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吳德馨，女，半導體器件和集成電路專家，1936年12月20日生于河北樂亭，中國科學院微電子中心研究員。
1961年畢業于清華大學無線電電子工程系。1991年當選為中國科學院院士(學部委員)。1992年被國家科委聘為"深亞微米結構器件和介觀物理"項目科學家。吳德馨院士從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究 ，曾獲國家和中科院一等獎3項。
其在60年初，作為主要負責人之一，在國內首先研究成功硅平面型高速開關晶體管，所提出的提高開關速度的方案被廣泛采用，并向全國推廣。六十年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。
70年代末研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在國內首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術用于大規模集成電路的研制，并進行了提高成品率的研究。在國內突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，創了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。
80年代末期自主開發成功3微米CMOSLSI全套工藝技術，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路并研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化嫁異質結高電子遷移率晶體管。
90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。目前正在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究。
目前仍在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，為國內半導體產業的發展建言獻策。
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