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更新時(shí)間：2025-02-12 12:03:45瀏覽次數(shù)：2397評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 | 加工定制 | 否 |
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熱電阻溫度計(jì)選型
熱電阻(RTD)溫度計(jì)，適用于衛(wèi)生和無菌應(yīng)用場(chǎng)合
公制型儀表，采用通用技術(shù)
適用于所有標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場(chǎng)合，帶固定不可更換鎧裝 芯子
熱電阻溫度計(jì)選型
應(yīng)用
• 專門設(shè)計(jì)用于食品&飲料和生命科學(xué)行業(yè)中的衛(wèi)生和無菌應(yīng)用場(chǎng)合
• 測(cè)量范圍為–50…+200 °C (–58…+392 °F)
• Z大壓力為 50 bar (725 psi)
• Z高防護(hù)等為 IP69K
• 可以在非防爆區(qū)域中使用
測(cè)量原理
1。
通常，有兩種不同類型的鉑熱電阻：
• 繞線式(WW)：由兩根細(xì)的高純度鉑絲在陶瓷載體內(nèi)繞制而成，并通過陶瓷保護(hù)層在載體頂部 和底部對(duì)鉑絲進(jìn)行密封處理。此類熱電阻具有高可重現(xiàn)性，過程溫度高達(dá) 600 °C (1112 °F)時(shí)， 仍能保證良好的阻抗-溫度關(guān)系的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。繞線式(WW)熱電阻的體積較大，抗振性較差。
• 薄膜式鉑電阻溫度計(jì)(TF)：在真空狀態(tài)下，將厚度約為 1 μm 的超高純度鉑層汽化固定在陶瓷基 板上，光刻制作而成。由此構(gòu)成的鉑導(dǎo)體形成測(cè)量阻抗。附加覆蓋層和鈍化層可靠保護(hù)薄鉑 層，防止高溫條件下出現(xiàn)氧化和污染。
薄膜式(TF)熱電阻與繞線式(WW)熱電阻相比，突出優(yōu)點(diǎn)為較小的體積和較好的抗振性。高溫條件 下，薄膜式(TF)熱電阻的阻抗-溫度關(guān)系偏差較小，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)。因此，薄膜式(TF)熱電阻的溫度測(cè)量誤差可達(dá)溫度等 A，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)(Z高溫度約為 300 °C (572 °F))。所以， 薄膜式(TF)熱電阻通常僅在溫度低于 400 °C (752 °F)的條件下測(cè)量。
Endress+Hauser 提供用于溫度測(cè)量點(diǎn)的整套優(yōu)化部件，包括將測(cè)量點(diǎn)無縫集成至整個(gè)工廠中的所 有所需部件。包括：
• 電源單元/隔離柵
• 顯示單元
• 過電壓保護(hù)單元
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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